Поиск по ключевым словам

Ключевое слово: арсенид галлия

Эпитаксиальные гетероструктуры арсенида галлия для компонентов силовой электроники

Организация: КБИ «Материалы и компоненты электроники», АНО, ООО «Аргал»

Ключевые слова: наноэлектроника, арсенид галлия, гетероструктуры

ООО «Аргал» производит полупроводниковые гетероструктуры на основе арсенида галлия для высокотемпературных p-i-n диодов.

Эпитаксиальные гетероструктуры арсенида галлия-алюминия для излучателей ближнего ик-диапазона

Организация: КБИ «Материалы и компоненты электроники», АНО, МеГа Эпитех, ООО

Ключевые слова: наноэлектроника, арсенид галлия, гетероструктуры

ООО «МеГа Эпитех» разрабатывает полупроводниковые гетероструктуры на основе соединений алюминия-галлия-мышьяка для ИК-излучателей систем телекоммуникации, медицинской и автомобильной электроники.

Эпитаксиальные гетероструктуры арсенида галлия-алюминия для светодиодов специального назначения

Организация: КБИ «Материалы и компоненты электроники», АНО, МеГа Эпитех, ООО

Ключевые слова: наноэлектроника, арсенид галлия, гетероструктуры, светодиоды

ООО «МеГа Эпитех» разрабатывает полупроводниковые гетероструктуры на основе соединений алюминия-галлия-мышьяка для излучающих диодов специального назначения.

Эпитаксиальные гетероструктуры для приборов ночного видения III+ поколения. Разработка технологии и освоение производства

Организация: МеГа Эпитех, ООО

Ключевые слова: наноэлектроника, арсенид галлия, гетероструктуры, светодиоды

Разработка технологии и освоение производства эпитаксиальных гетероструктур методом жидкофазной эпитаксии для приборов ночного видения III+ поколения.