Поиск по названию

Разработки на букву «Э»

Электротехнические Cu-Nb наноструктурированные провода с аномально высокими прочностью и электропроводностью

Организация: ВНИИНМ. ОАО ВНИИ неорганических материалов им. А.А.Бочвара

Ключевые слова: провода, кабели, нанокомпозиты, медь, ниобий

Новый класс технических высокопрочных, высокоэлектропроводных композиционных материалов с нанометрическим уровнем дисперсности микроструктуры. Медно-ниобиевые провода ВНИИНМ лидируют среди подобных нанокомпозитов, изготавливаемых фирмами других стран (США, Японии, Франции).

Энергосберегающее стекло. Создание предприятия по производству высококачественного стекла со специальным покрытием

Организация: РОСНАНО, ОАО, СТиС, ГК, Европейский банк реконструкции и развития (ЕБРР), NSG Group (Pilkington)

Ключевые слова: РОСНАНО, нанотехнологии, наноматериалы, энергосберегающее стекло

Проект предусматривает создание предприятия по производству высококачественного стекла со специальным покрытием.

Эпитаксиальные гетероструктуры арсенида галлия для компонентов силовой электроники

Организация: КБИ «Материалы и компоненты электроники», АНО, ООО «Аргал»

Ключевые слова: наноэлектроника, арсенид галлия, гетероструктуры

ООО «Аргал» производит полупроводниковые гетероструктуры на основе арсенида галлия для высокотемпературных p-i-n диодов.

Эпитаксиальные гетероструктуры арсенида галлия-алюминия для излучателей ближнего ик-диапазона

Организация: КБИ «Материалы и компоненты электроники», АНО, МеГа Эпитех, ООО

Ключевые слова: наноэлектроника, арсенид галлия, гетероструктуры

ООО «МеГа Эпитех» разрабатывает полупроводниковые гетероструктуры на основе соединений алюминия-галлия-мышьяка для ИК-излучателей систем телекоммуникации, медицинской и автомобильной электроники.

Эпитаксиальные гетероструктуры арсенида галлия-алюминия для светодиодов специального назначения

Организация: КБИ «Материалы и компоненты электроники», АНО, МеГа Эпитех, ООО

Ключевые слова: наноэлектроника, арсенид галлия, гетероструктуры, светодиоды

ООО «МеГа Эпитех» разрабатывает полупроводниковые гетероструктуры на основе соединений алюминия-галлия-мышьяка для излучающих диодов специального назначения.

Эпитаксиальные гетероструктуры для приборов ночного видения III+ поколения. Разработка технологии и освоение производства

Организация: МеГа Эпитех, ООО

Ключевые слова: наноэлектроника, арсенид галлия, гетероструктуры, светодиоды

Разработка технологии и освоение производства эпитаксиальных гетероструктур методом жидкофазной эпитаксии для приборов ночного видения III+ поколения.