Каталог разработок

Эпитаксиальные гетероструктуры для приборов ночного видения III+ поколения. Разработка технологии и освоение производства

Поставщик: МеГа Эпитех, ООО Ключевые слова: наноэлектроника, арсенид галлия, гетероструктуры, светодиоды Регион: Калужская область

Разработка технологии и освоение производства эпитаксиальных гетероструктур методом жидкофазной эпитаксии для приборов ночного видения III+ поколения.

Проект ООО «МеГа Эпитех» посвящен разработке технологии жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ) и освоению производства полупроводниковых гетероструктур на основе соединений алюминия-галлия-мышьяка для экранов фотоэлектронных преобразователей приборов ночного видения третьего поколения с высокой чистотой поля зрения и интегральной чувствительностью до 2 000 мкА/лм.

Описание продукта

Полупроводниковые гетероструктуры на основе соединений алюминия-галлия-мышьяка для экранов фотоэлектронных преобразователей приборов ночного видения третьего поколения с высокой чистотой поля зрения и интегральной чувствительностью до 2 000 мкА/лм.

Маркетинг продукта

Конкурентное преимущество — существенно более высокое качество продукции, позволяющее потребителю повысить технико-экономические показатели производства приборов.

Инновационный проект выполнен на основе проведенных маркетинговых исследований. Потенциальные потребители — приборные предприятия Российского оборонного комплекса.

Потенциальный объем рынка — 25–30 тыс. гетероструктур/год.

Спецификация
Наименование показателей Значение показателей
Диаметр гетероструктуры, мм 39.5 (+0,5; –1,0)
Кристаллографическая ориентация (100) ± 30 угл. мин.
Конструкция гетероструктуры:
толщина стопорного слоя, мкм 4,5 ±1,0
толщина активной области, мкм 2,5 ±0,3
толщина буферного слоя, мкм 3,0 ±1,0
Требования к качеству поверхности
  • на всей поверхности структур со стороны буферного слоя, кроме края размером не более 5 мм, не допускаются: царапины, ямки, пирамиды роста;
  • структуры не должны иметь включений металлического галлия
Требования к дефектности структуры в ИК-изображении
допустимые дефекты в поле зрения, размер, мм/число, шт., не более
в зоне 0–2 мм 0
в зоне 2–9 мм 0,05/1
в зоне 9–14 мм 0,135/1
в зоне 14–18 мм 0,225/1
Основные параметры фоточувствительности
интегральная чувствительность, мкА/лм до 2 000
неоднородность интенсивности ФЛ, СКО, %, не более 5

Карточка организации:

  • Теги