Новости

Разработанный в ЛЭТИ способ герметизации нанопористых материалов запатентован в США

08 июня 2018 Рубрика: Исследования и разработки, Новости организаций, Регионы Ключевые слова: разработка, патент, наноэлектроника

Учеными Санкт-Петербургского электротехнического университета «ЛЭТИ» разработан уникальный способ герметизации нанопористых материалов методом молекулярного наслаивания при создании наноразмерных интегральных схем нового поколения.

В рамках проведения исследований по формированию нанослоевых органических композиций на основе жесткоцепных полиимидов методом молекулярного настаивания из жидкой фазы и их модификации сотрудниками Центра микротехнологии и диагностики СПбГЭТУ «ЛЭТИ» был выполнен комплекс работ совместно с ведущей европейской организацией — Межвузовским центром микроэлектроники IMEC (г. Лёвен, Бельгия).

В коллаборации с европейскими партнерами петербургские ученые реализовали пилотный проект «Молекулярное самоорганизующееся запечатывание ультратонких low-k диэлектриков для формирования наноэлектронных приборов» («Molecular self-assembling for sealing of ultra low-k dielectrics developed for advanced nanoelectronic devices). Научным руководителем работ от СПбГЭТУ «ЛЭТИ» являлась ведущий научный сотрудник Центра микротехнологии и диагностики, кандидат химических наук Светлана Голоудина.

Целью проекта стала разработка метода подавления нанопористости low-k диэлектрика, используемого в качестве межслоевой изоляции в новом поколении интегральных микросхем с наноразмерными топологическими нормами. Ученым удалось разработать уникальный метод, основанный на планаризации поверхности и закрытии нанопор без их заполнения диэлектриком с использованием жесткоцепных полиимидов, наносимых по технологии Ленгмюра-Блоджетт.

По результатам работы получен совместный (СПбГЭТУ «ЛЭТИ» — IMEC) патент США «Метод запечатывания/закрытия пор в пористых материалах с использованием полиимидных пленок Ленгмюра-Блоджетт» («Method for pore sealing of porous materials using polyimide Langmuir-Blodgett film«).

«Метод Ленгмюра-Блоджетт успешно развивается в ЛЭТИ на протяжении более 20 лет. В университете была создана специальная установка, которая позволяет проводить эксперименты в области молекулярного наслаивания, — рассказал заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники СПбГЭТУ «ЛЭТИ», доктор технических наук, профессор Виктор Лучинин. — Также используется стандартное оборудование финской фирмы «Beneq», которая в 2013 году открыла на базе СПбГЭТУ совместную научную лабораторию».

Преимущества новой технологии для применения в наноэлектронике очевидны: получаемый планаризирующий изолирующий слой удовлетворяет требованиям к предельно допустимой наноразмерной толщине диэлектрика, не оказывает повреждающего воздействия на всю структуру и обеспечивает требуемые частотные свойства.

Благодаря использованию предложенного способа стало возможным уменьшение топологических норм, что позволяет наращивать быстродействие, энергетическую эффективность и плотность упаковки интегральных схем нового поколения.

Автор:

  • Ольга Иванова

Источник:

  • Отдел по связям с общественностью СПбГЭТУ «ЛЭТИ»

Карточка организации:

Добавить комментарий