Новости

Портфельная компания РОСНАНО ООО «Крокус НаноЭлектроника» и МФТИ объединяют усилия в разработке новой технологии магнитной памяти STT-MRAM

15 марта 2016 Рубрика: Исследования и разработки, Новости организаций, Сотрудничество Ключевые слова: MRAM, микроэлектроника, наноэлектроника, магнитная память произвольного доступа (MRAM), STT-MRAM

ООО «Крокус НаноЭлектроника» (КНЭ) и Московский Физико-Технический Институт, Государственный Университет (МФТИ) объявляют о начале совместной исследовательской программы по разработке и апробации технологии производства магнитной памяти нового поколения STT-MRAM.

Магнитная технология Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory (STT-MRAM) использует «перенос спина» для перезаписи ячеек памяти. Применение этого эффекта в традиционной магниторезистивной памяти позволяет уменьшить величину тока, необходимую для записи информации в ячейку, а также использовать техпроцесс от 90 до 22 нанометров и ниже. На сегодня все крупнейшие производители динамической оперативной памяти DRAM имеют свои программы STT-MRAM — данная технология считается основным кандидатом на замещение DRAM в ближайшем будущем.

ООО «Крокус НаноЭлектроника» (КНЭ) и Московский Физико-Технический Институт (МФТИ) направят свои усилия на разработку новых материалов, дизайн устройств, а также разработку методов их контроля и моделирования. Успешная реализация программы позволит создать условия для производства продуктов, использующих технологию STT-MRAM, на мощностях КНЭ.

«Крокус НаноЭлектроника» — единственная в Европе и одна из немногих в мире коммерческая площадка для производства памяти и сенсоров на основе магнитных туннельных структур, по топологической норме до 90/65 нанометров на пластинах диаметром 300 мм.

«Производственные мощности нашей компании идеально подходят для создания встроенных или дискретных продуктов на основе STT-MRAM, — отмечает генеральный директор «Крокус НаноЭлектроника» Олег Сютин. — Мы ожидаем, что в ближайшее время у этой технологии появится большой рынок — этому поспособствует превосходство STT-MRAM по таким показателям, как количество циклов перезаписи, скорость и энергопотребление. Поэтому мы возлагаем большие надежды на эту программу».

«В МФТИ наработана уникальная экспертиза в исследовании новых материалов и структур для микроэлектроники, — комментирует заместитель заведующего лабораторией физики магнитных гетероструктур и спинтроники для энергосберегающих информационных технологий и руководитель работ от МФТИ Дмитрий Лещинер. — В частности, в нашей лаборатории развиты одни из самых мощных методов моделирования магнитной памяти, созданы уникальные экспериментальные стенды для исследования материалов и устройств спинтроники. Мы ожидаем, что наш вклад и совместные усилия позволят КНЭ запустить производство STT-MRAM памяти в России в самое короткое время».

Источник:

  • Пресс-служба ОАО «РОСНАНО»

Карточка организации:

Добавить комментарий