Инструменты нанотехнологий

Helios G4 HX FEI. Электронно-ионный микроскоп

ООО «Серния» представляет электронно-ионный микроскоп Helios G4 HX от компании FEI Company для нужд лабораторий анализа отказов в микроэлектронике.

Новая двулучевая система Helios G4 HX разработана для лабораторий анализа отказов в микроэлектронике и является продолжением наиболее успешной модели Helios 460HP, зарекомендовавшей себя на рынке как надёжный инструмент для подготовки образцов для ПЭМ. Новый прибор использует продвинутый алгоритм эффективной подготовки образцов для просвечивающей микроскопии.

Современный высокоточный манипулятор EasyLift EX, новый столик QuickFlip и программное обеспечение для автоматической подготовки образцов iFast позволяют лабораториям анализа отказов по всему миру получать быстрый и качественный результат.

Новый внутрилинзовый детектор электронов даёт возможность получения изображений высокого контраста на предельно малых ускоряющих напряжениях, что важно в процессе утонения образца для последующего изучения методами просвечивающей микроскопии.

Система Helios G4 HX сочетает в себе лучший в мире сканирующий электронный микроскоп (на базе электронной колонны Elstar c монохроматором) и наиболее продвинутую ионную колонну Phoenix.

В сочетании с наноманипулятором EasyLift EX и специализированным программным обеспечением iFast Helios G4 становится мощной платформой для проведения аналитических работ и высокоточной пробоподготовки для просвечивающей электронной микроскопии. Удобный и простой интерфейс программного обеспечения микроскопа даёт возможность добиться качественного и быстрого результата даже начинающим операторам прибора.

Система автоматической навигации по образцу FEI Cell Navigator и высокоточный наноманипулятор упрощают процесс позиционирования и настройки на объект интереса.

Получение изображений поперечных сечений (кросс-секций) образцов

Инновационная электронная колонна Elstar с монохроматором UC позволяет получать изображения сверхвысокого разрешения даже на низких ускоряющих напряжениях: 0.6 нм при работе на оптимальном рабочем отрезке.

При работе на сверхнизких ускоряющих напряжениях чувствительные образцы (диэлектрики, фоторезисты) не повреждаются.

Информация предоставлена СЕРНИЯ, ООО

Отправить сообщение представителю компании

2 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Z А Б В Г Д Е И К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Э ВСЕ